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      產品詳情
      • 產品名稱:富士IGBT模塊 N系列

      • 產品型號:2MBI300N-060
      • 產品廠商:FUJI
      • 產品價格:0
      • 折扣價格:0
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      簡單介紹:
      富士IGBT模塊 N系列注: "N"系列1200V IGBT模塊已經停產,請選用"P"系列或"S"系列以及第五代"U"系列;富士IGBT模塊 N系列"N"系列600V IGBT模塊繼續正常供貨,也可選用第五代"U2"系列。
      詳情介紹:

      富士電機開發了IGBT模塊作為電動機的可變速驅動裝置或不間斷電源裝置等的電力轉換器的開關元件。IGBT是同時具有功率MOSFET的高速開關性能和雙極型晶體管的高電壓和大電流處理能力的半導體元件。


      特長

      實現了封裝小型化和輸出功率的提高!

      • 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
      • Tj max175°C、150°C時可保證連續運行

      環境友好型模塊

      • 高裝配性,支持無焊裝配
      • 支持RoHS(部分除外)

      開關特性

      • 改善噪音-損耗平衡
      • 通過降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振動


      富士IGBT模塊 N系列

          N系列是富上電機原第三代產品,原來采用傳統PT工藝,該系列在日本本土變頻器生產中早已到廣泛應用。之后歐派克出現了采用NPT工藝的第四代IGBT模塊。該系列在1200V和1700V門電壓等級中有獨特的優勢,成本亦大幅度下降。而用于交流380V電壓等級的產品中(相應IGBT模塊電壓等級為1200V)毆派克在國產變頻器中占主導市場地位。但NPT工藝的模塊在交流220V電莊等級產品在中(相應IGBT模塊電壓等級為600V)其優勢不明顯,致使富士電機N系列600V電壓等級IGBT尚不能被取代。在中國市場上UPS產品主要是單進單出(交流220V)占有很大市場。N系列600V電壓等級的IGBT模塊,應用對象是UPS產品以及其他交流電壓為220V的電源變換產品

              富士IGBT模塊 N系列                                                   

      600V N系列第三代IGBT模塊


      型號

      VCES
      Volts

      IC
      TC=25oC
      cont.
      Amps.

      PC
      @
      Watts

      VCEsat
      IC
      Tj=25oC
      Max.(V)

      封裝

      2MBI50N-060

      600

      50

      250

      2.8

      M232

      2MBI75N-060

      600

      75

      320

      2.8

      M232

      2MBI100N-060

      600

      100

      400

      2.8

      M232

      2MBI150N-060

      600

      150

      600

      2.8

      M233

      2MBI200N-060

      600

      200

      780

      2.8

      M233

      2MBI300N-060

      600

      300

      1,100

      2.8

      M233

      2MBI400N-060

      600

      400

      1,500

      2.8

      M235

      2MBI600NT-060

      600

      600

      2,500

      2.9

      M238

      1MBI600NN-060*

      600

      600

      2,000

      2.8

      M129

      1MBI600NP-060*

      600

      600

      2,000

      2.8

      M128


      1200V N系列第三代IGBT模塊全線停產 Discontinued >


      型號

      VCES
      Volts

      IC
      TC=25oC
      cont.
      Amps.

      PC
      @
      Watts

      VCEsat
      IC
      Tj=25oC
      Max.(V)

      封裝

      2MBI50N-120

      1,200

      50

      400

      3.3

      M232

      2MBI75N-120

      1,200

      75

      600

      3.3

      M232

      2MBI100N-120

      1,200

      100

      780

      3.3

      M234

      2MBI150N-120

      1,200

      150

      1,100

      3.3

      M234

      2MBI200N-120

      1,200

      200

      1,500

      3.3

      M234

      2MBI300N-120

      1,200

      300

      2,100

      3.3

      M236

      1MBI200N-120

      1,200

      200

      1,500

      3.3

      M127

      1MBI300N-120

      1,200

      300

      2,100

      3.3

      M127

      1MBI400N-120

      1,200

      400

      3,100

      3.3

      M127

       




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      注:1.可以使用快捷鍵Alt+S或Ctrl+Enter發送信息!
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